本征参数是指由一维连续方程导出的（）。 A.S参数B.X参数C.Y参数D.Z参数 正确答案：Y参数

晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。（） A.正确B.错误 正确答案：错误

为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（） A.正确B.错误 正确答案：正确

为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（） A.正确B.错误 正确答案：错误

对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（） A.正确B.错误 正确答案：正确

双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（） A.正确B.错误 正确答案：错误

硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。 A.正确B.错误 正确答案：正确

少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。 A.正确B.错误 正确答案：错误

由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案：集电结扩散电容

以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。 A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带WbB.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子C.减小发射结和集电结面积以减小电容D.适当降低集电区电阻率和厚度 正确答案：降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是（）。 A.τe、τb、τdB.τe、τb、τcC.τe、τd、τcD.τe、τb、τd、τc 正确答案：τe、τb、τd、τc

以npn晶体管为例，ic与inc相比，相位（），幅度（）。 A.超前，增大B.超前，减小C.滞后，增大D.滞后，减小 正确答案：滞后，减小