以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。浏览：552 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。 A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带WbB.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子C.减小发射结和集电结面积以减小电容D.适当降低集电区电阻率和厚度 正确答案：降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子 相关文章 漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。 漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。 A.正确B.错误 正确答案：错误 晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。 晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。 A.正确B.错误 正确答案：错误 增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。 增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。 A.正确B.错误 正确答案：正确 共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。 共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。 A.正确B.错误 正确答案：错误 晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。 晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。 A.正确B.错误 正确答案：错误
