少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。浏览：483 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。 A.正确B.错误 正确答案：错误 相关文章 在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。 在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。 A.正确B.错误 正确答案：正确 由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。 由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案：集电结扩散电容 晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。 晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。 A.基尔霍夫第一定律B.基尔霍夫第二定律C.戴维南定理D.叠加定理 正确答案：基尔霍夫第一定律 为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（） 为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（） A.正确B.错误 正确答案：正确 为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（） 为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（） A.正确B.错误 正确答案：错误
