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半导体器件原理与仿真设计

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majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 晶体管, 等效电路

晶体管等效电路通常的表示方法是混合Π型参数等效电路,属于物理模型等效电路。()

浏览:723

晶体管等效电路通常的表示方法是混合Π型参数等效电路,属于物理模型等效电路。() A.正确B.错误 正确答案:正确

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 晶体管, 等效电路

晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。()

浏览:615

晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。() A.正确B.错误 正确答案:正确

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 发射极, 引线

若晶体管使用频率非常高,必须考虑管壳的寄生参量,特别是()。

浏览:407

若晶体管使用频率非常高,必须考虑管壳的寄生参量,特别是()。 A.发射极引线电感B.集电极引线电感C.发射极电容D.集电极电容 正确答案:发射极引线电感

majc 中国大学MOOC慕课 乘积, 半导体器件原理与仿真设计, 频率

高频优值定义为功率增益与()的乘积,该值越大,晶体管放大能力()。

浏览:511

高频优值定义为功率增益与()的乘积,该值越大,晶体管放大能力()。 A.频率,越强B.频率,越弱C.频率平方,越强D.频率平方,越弱 正确答案:频率平方,越强

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 增益, 晶体管

晶体管的工作频率增加一倍,则功率增益()。

浏览:459

晶体管的工作频率增加一倍,则功率增益()。 A.提高一倍B.下降一倍C.下降两倍D.下降四倍 正确答案:下降四倍

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 少子, 电容

由于有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。

浏览:536

由于有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案:集电结扩散电容

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 等效电路, 频段

考虑混合π形等效电路,将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为()。

浏览:423

考虑混合π形等效电路,将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为()。 A.25kHz,4.8MHzB.25kHz,5.2MHzC.27kHz,5.2MHzD.    27kHz,4.8MHz 正确答案:27kHz,5.2MHz

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 晶体管, 等效电路

本征晶体管的T形等效电路也称为()参数等效电路()。

浏览:500

本征晶体管的T形等效电路也称为()参数等效电路()。 A.SB.YC.ZD.H 正确答案:H

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 基尔, 集电极

晶体管发射极电流,集电极电流,集电极电流之间满足()。

浏览:547

晶体管发射极电流,集电极电流,集电极电流之间满足()。 A.基尔霍夫第一定律B.基尔霍夫第二定律C.戴维南定理D.叠加定理 正确答案:基尔霍夫第一定律

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 晶体管, 等效电路

推导晶体管的小信号等效电路时,首先将其等效为()端口网络

浏览:461

推导晶体管的小信号等效电路时,首先将其等效为()端口网络 A.二B.三C.四D.单 正确答案:二

majc 中国大学MOOC慕课 信号, 半导体器件原理与仿真设计, 等效电路

小信号等效电路中的“小信号”属于()

浏览:456

小信号等效电路中的“小信号”属于() A.交流信号B.直流信号C.叠加有交流信号的直流信号D.不确定 正确答案:交流信号

majc 中国大学MOOC慕课 半导体器件原理与仿真设计, 栅极, 电阻

实际晶体管等效电路相比本征部分,多出的部分不包括()。

浏览:459

实际晶体管等效电路相比本征部分,多出的部分不包括()。 A.基极电阻B.发射极和集电极串联电阻C.发射结和集电结漏导D.栅极本征电容 正确答案:栅极本征电容

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