以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。

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以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。 A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带WbB.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子C.减小发射结和集电结面积以减小电容D.适当降低集电区电阻率和厚度 正确答案:降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。

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对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A.正确B.错误 正确答案:正确

下列关于PN结的说法中,错误的是()。

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下列关于PN结的说法中,错误的是()。 A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上B.对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展C.平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等D.平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似 正确答案:空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上