由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案：集电结扩散电容

少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。 A.正确B.错误 正确答案：错误

由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案：集电结扩散电容

对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A.正确B.错误 正确答案：正确

反向截止时，少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。 A.正确B.错误 正确答案：正确