硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。 A.正确B.错误 正确答案：正确

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了（）在基区中的运动，该载流子做（）运动。（） A.电子，扩散B.电子，漂移C.电子，漂移和扩散D.空穴，漂移 正确答案：电子，漂移和扩散

考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。 A.正确B.错误 正确答案：错误

下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。 A.复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合B.复合中心的存在会降低少数载流子的寿命C.通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小D.复合中心能级一般在禁带中央附近 正确答案：通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小