反向截止时，少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。
A.正确B.错误
正确答案：正确
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由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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和TTL电路比较，CMOS电路具有功耗低、工作速度慢的特点。
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