下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（）。 A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿B.隧道击穿也称齐纳击穿C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负 正确答案：势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（）。 A.正相关B.负相关C.正比D.反比 正确答案：正相关

实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。 A.更低B.更高C.不变D.不确定 正确答案：更低

下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。 A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中B.PN结外加正向偏压增大C.PN结外加反向偏压减小D.使空间电荷区势垒宽度减小 正确答案：使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（）。 A.能够将交流电转变成直流电B.只允许电流从一个方向流过C.低频整流特性较差D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用 正确答案：低频整流特性较差

下列关于PN结的说法中，错误的是（）。 A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似 正确答案：空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（）。 A.减小低掺杂区的掺杂浓度B.提高P区和N区的掺杂浓度C.选用禁带宽度高的半导体材料D.选用本征载流子浓度小的半导体材料 正确答案：减小低掺杂区的掺杂浓度

PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A.靠近P区的势垒区边界B.靠近N区的势垒区边界C.PN结界面处D.电势处处相等 正确答案：靠近P区的势垒区边界

在半导体中，电子按照能量大小服从一定的统计分布规律。一般量子态具有的能量越高，电子占据的概率越大。 A.正确B.错误 正确答案：错误

费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别在于前者收到泡利不相容原理的限制。 A.正确B.错误 正确答案：正确

导带中的电子可能和价带中的空穴复合，释放出的能量以声子的形式发射出去，这一过程称为辐射复合。 A.正确B.错误 正确答案：错误

在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质，会发生杂质补偿作用，施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消，剩下的电荷才能成为导电粒子。 A.正确B.错误 正确答案：正确