下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。浏览：496 下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。 A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中B.PN结外加正向偏压增大C.PN结外加反向偏压减小D.使空间电荷区势垒宽度减小 正确答案：使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中 相关文章 pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。 pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。 A.正确B.错误 正确答案：正确 pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。 pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。 A.正确B.错误 正确答案：错误 pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。 pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。 A.正确B.错误 正确答案：错误 PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。 PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。 A.正确B.错误 正确答案：错误 实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。 实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。 A.更低B.更高C.不变D.不确定 正确答案：更低
