实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。
A.更低B.更高C.不变D.不确定
正确答案：更低
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下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。
下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。 A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中B.PN结外加正向偏压增大C.PN结外加反向偏压减小D.使空间电荷区势垒宽度减小 正确答案：使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
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下列关于PN结的说法中，错误的是（）。 A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似 正确答案：空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
