下列关于PN结的说法中，错误的是（）。浏览：720 下列关于PN结的说法中，错误的是（）。 A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似 正确答案：空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上 相关文章 pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。 pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。 A.正确B.错误 正确答案：错误 在密立根油滴实验中，主要验证电荷的 在密立根油滴实验中，主要验证电荷的 A.连续性B.带电性C.量子化D.电场中受力的性质 正确答案：量子化 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。 A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带WbB.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子C.减小发射结和集电结面积以减小电容D.适当降低集电区电阻率和厚度 正确答案：降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A.正确B.错误 正确答案：正确 漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。 漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。 A.正确B.错误 正确答案：错误
