PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。浏览:515 PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。 A.正确B.错误 正确答案:点击后扫码前往小程序免费查看本题答案 >> 相关文章 由于有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 由于有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案:集电结扩散电容 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容 正确答案:集电结扩散电容 pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。 pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。 A.正确B.错误 正确答案:正确 pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。 pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。 A.正确B.错误 正确答案:错误 pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。 pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。 A.正确B.错误 正确答案:错误