以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了（）在基区中的运动，该载流子做（）运动。（）浏览：723 以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了（）在基区中的运动，该载流子做（）运动。（） A.电子，扩散B.电子，漂移C.电子，漂移和扩散D.空穴，漂移 正确答案：电子，漂移和扩散 相关文章 硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。 硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。 A.正确B.错误 正确答案：正确 考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。 考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。 A.正确B.错误 正确答案：错误 在半导体中，电子按照能量大小服从一定的统计分布规律。一般量子态具有的能量越高，电子占据的概率越大。 在半导体中，电子按照能量大小服从一定的统计分布规律。一般量子态具有的能量越高，电子占据的概率越大。 A.正确B.错误 正确答案：错误 下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。 下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。 A.复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合B.复合中心的存在会降低少数载流子的寿命C.通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小D.复合中心能级一般在禁带中央附近 正确答案：通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小 EDA发展历程，下列中那个次序是对的？ EDA发展历程，下列中那个次序是对的？ A.电子CAD→电子CAE→EDAB.ESDA→电子CAD→电子CAEC.CPLD→简单PLD→FPGAD.电子CAE→机械CAD→EDA正确答案：电子CAD→电子CAE→EDA
