下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。 A.硅是间接带隙半导体B.禁带宽度具有负的温度系数C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eVD.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负 正确答案：室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV