下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。浏览：424 下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。 A.硅是间接带隙半导体B.禁带宽度具有负的温度系数C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eVD.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负 正确答案：室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV 相关文章 BJT大注入情况下不会引起（）。 BJT大注入情况下不会引起（）。 A.基区电导调制效应B.有效基区扩展效应C.基区宽度调制效应D.自建电场 正确答案：基区宽度调制效应 引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。 引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。 A.发射结正偏电压变化B.集电结反偏电压变化C.基区少子浓度梯度变化D.发射结势垒宽度变化 正确答案：集电结反偏电压变化 下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（）。 下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（）。 A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿B.隧道击穿也称齐纳击穿C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负 正确答案：势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿 拇指同身寸是指患者指间关节的宽度是？ 拇指同身寸是指患者指间关节的宽度是？ A.1寸B.2寸C.3寸D.4寸正确答案：1寸 在Word中，可以将指定的段落分成指定宽度的两栏； 在Word中，可以将指定的段落分成指定宽度的两栏； A.正确B.错误正确答案：正确
