下列关于能带结构的说法中,错误的是()。

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下列关于能带结构的说法中,错误的是()。 A.硅是间接带隙半导体B.禁带宽度具有负的温度系数C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eVD.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负 正确答案:室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

在核心稳定性练习中,要求队员支撑的时候必须解剖位撑起:目视前方,肩、髋、膝、踝关节在一条线上,腰背部收紧,身体正直,不要憋气,正常呼吸,支撑的宽度跟肩关节或髋关节同宽。是否正确?

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在核心稳定性练习中,要求队员支撑的时候必须解剖位撑起:目视前方,肩、髋、膝、踝关节在一条线上,腰背部收紧,身体正直,不要憋气,正常呼吸,支撑的宽度跟肩关节或髋关节同宽。是否正确? A.正确 B.错误 正确答案:A