晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。浏览：604 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。 A.之前，超前B.之前，滞后C.之后，超前D.之后，滞后 正确答案：之后，超前 相关文章 流过晶体管结电阻的发射极电流（）被集电区接收，流过发射极扩散电容的发射极电流（）被集电区接收（）。 流过晶体管结电阻的发射极电流（）被集电区接收，流过发射极扩散电容的发射极电流（）被集电区接收（）。 A.可以，可以B.可以，不可以C.不可以，可以D.不可以，不可以 正确答案：可以，不可以 考虑BJT有效基区扩展效应，随着发射极电流的增加，晶体管共发射极电流放大系数增大。 考虑BJT有效基区扩展效应，随着发射极电流的增加，晶体管共发射极电流放大系数增大。 A.正确B.错误 正确答案：错误 双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（） 双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（） A.正确B.错误 正确答案：正确 共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。 共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。 A.正确B.错误 正确答案：错误 在共发射极电路中，采用混合π形等效电路更容易在各频段进行简化。 在共发射极电路中，采用混合π形等效电路更容易在各频段进行简化。 A.正确B.错误 正确答案：正确
