平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。浏览：411 平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。 A.均匀分布B.线性分布C.高斯分布D.余误差分布 正确答案：高斯分布 相关文章 晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。 晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。 A.正确B.错误 正确答案：错误 增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。 增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。 A.正确B.错误 正确答案：正确 共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。 共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。 A.正确B.错误 正确答案：错误 晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。 晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。 A.正确B.错误 正确答案：错误 考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。 考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。 A.正确B.错误 正确答案：正确
