如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。浏览：1207 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。 A.变大，变大B.变大，变小C.变小，变大D.变小，变小 正确答案：变小，变大 相关文章 考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。 考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。 A.正确B.错误 正确答案：错误 矿物中的结构水是（） 矿物中的结构水是（） A.以H2O存在于矿物晶格中B.以OH存在于矿物晶格中C.以H2O存在于矿物晶格外D.以OH存在于矿物晶格外正确答案：以OH存在于矿物晶格中 在原子晶格中，原子之间不能达到紧密堆积。（） 在原子晶格中，原子之间不能达到紧密堆积。（） A.正确B.错误正确答案：正确 在金属晶格中，金属原子都不做最紧密堆积。（） 在金属晶格中，金属原子都不做最紧密堆积。（） A.正确B.错误正确答案：错误 在离子晶格中，一般来说都是阴离子做等大球最紧密堆积，阳离子充填到空隙。（） 在离子晶格中，一般来说都是阴离子做等大球最紧密堆积，阳离子充填到空隙。（） A.正确B.错误正确答案：正确
